Methode zum Aufbringen interferenzfähiger Schichten durch Zerstäuben auf polierte Schliffflächen, durchgeführt in einer Gasionenkammer. Über ein Hochspannungsnetzgerät wird an die Katode, bestehend aus dem Beschichtungswerkstoff, eine negative Gleichspannung von 1 bis 2 kV angelegt. Der Katode gegenüber befindet sich die anodisch geschaltete zu beschichtende Probe. Die Kammer wird bis auf den Restdruck von ≈ 10 Pa evakuiert. Wird die Hochspannung angelegt, dann findet eine Gasentladung statt, und die dabei aus dem Restgas (Edelgas) entstehenden Ionen zerstäuben den Katodenwerkstoff (Sputtern) welcher sich auf der Schlifffläche der Probe absetzt und die Interferenzschicht bildet.
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